Прикладная физика
N 2, 2003

Туннелирование через ловушки в структурах с вырожденным n+-p - переходом на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te

А. Ю. Селяков, В. П. Пономаренко
Государственное унитарное предприятие «НПО "Орион"» — ГНЦ РФ, Москва, Россия

   Проанализирован механизм темнового тока вырожденного n+-p-перехода на основе HgCdTe, обусловленного туннелированием через ловушки в области пространственного заряда (ОПЗ). Рассчитаны скорость рекомбинации и дифференциальное сопротивление R0Ap-n-перехода. Показано, что в рамках модели одного рекомбинационного уровня, находящегося в верхней половине запрещенной зоны, при понижении температуры ниже определенного значения происходит смена типа переходов, контролирующих рекомбинацию в ОПЗ, что объясняет экспериментально наблюдаемый эффект насыщения температурной зависимости R0A в области низких температур.

Содержание