Прикладная физика
N 3, 2003

О возможностях увеличения токовой чувствительности фотодиодов на основе InSb

В. П. Астахов, В. В. Карпов, Г. С. Соловьева, А. В. Талимов
ОАО «Московский завод "Сапфир"», Москва, Россия

   На основе результатов многофакторного эксперимента, в котором варьировались тип исходных кристаллов, режимы имплантации ионов бериллия и постимплантационного отжига, а также тип электролита и режимы анодного окисления при защите поверхности, показано, что при прочих равных условиях применение более высокоомных исходных кристаллов приводит к увеличению уровня сигналов изготовляемых фотодиодов (ФД) на InSb. Определены характерные режимы и условия, при которых достигается наиболее высокий уровень всех фотоэлектрических параметров фото- диодов.

Содержание