Прикладная физика
N 3, 2003
Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки при отсутствии краевых эффектов
Р. К. Мамедов
Бакинский государственный университет, Баку, Республика Азербайджан
Исследование температурной зависимости токопрохождения в Ni-nSi-диодах Шоттки с различными диаметрами (10—1000 мкм) при отсутствии краевых эффектов в интервале температур 222—387 K показало, что удовлетворительный вид вольтамперной характеристики диодов Шоттки сохраняется в ограниченных интервалах температур. Особенности температурной зависимости высоты барьера, коэффициента неидеальности, контактного сопротивления, безразмерного коэффициента и других параметров диодов Шоттки зависят от выбранных интервалов температур.