Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения
В. Б. Куликов, Г. Х. Аветисян, Л. М. Василевская
ГУП НПП "Пульсар", Москва, Россия
И. Д. Залевский, И. В. Будкин, А. А. Падалица
АО "Сигм-Плюс", Москва, Россия
Показано, что основные успехи в области разработки приборов на основе структур с квантовыми ямами (СКЯ—QWS) связаны с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Однако наряду с МЛЭ в последнее время для выращивания СКЯ все больше используют газовую эпитаксию из металлоорганических соединений (МОСГЭ), обладающую большей производительностью, чем МЛЭ. Опыт работы с фотоприемниками (ФП) на основе СКЯ, выращенных методом МОСГЭ, показывает, что такие ФП обладают рядом отличий от аналогов из СКЯ, выращенных МЛЭ: более существенная несимметричность вольт-амперных характеристик (ВАХ), наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями МОСГЭ. Представлены результаты экспериментального исследования ФП на основе СКЯ, полученных методом МОСГЭ; обсуждается их связь с особенностями СКЯ, обусловленными процессом МОСГЭ.
Содержание