ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 4 Основан в 1994 г. Москва 2003


Зависимость фотоэлектрических параметров КРТ фоторезисторов от плотности потока фонового излучения

И. Ю. Ларцев, М. С. Никитин, Г. В. Чеканова
Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа", Москва, Россия

   Исследованы зависимости величин удельной обнаружительной способности D*lmax и вольтовой чувствительности Sulmax охлаждаемых фотоэлектрических полупроводниковых приемников (ФЭПП) на основе фоторезисторов (ФР) из материала кадмий—ртуть—теллур (КРТ) от плотности потока фонового излучения. Уровень фоновой облученности определялся температурой окружающей среды Тфон @ 295 К и варьировал от (8—10)Е+17 до (6—8)Е+15 фотон см-2-1. Измерения D*lmax и Sulmax проведены на многоэлементных фоторезисторах (2x32 и 128 элементов) с максимумом спектральной чувствительности на длине волны 10,5—12,0 мкм при рабочей температуре ~78 К. Показано, что приемники являются BLIP (background limited performance) ФЭПП.

Содержание