Разработка базовой технологии изготовления фотоприемников на основе германия, легированного ртутью
В. П. Астахов, А. А. Грибанов, Н. И. Евстафьева, В. В. Карпов,
М. Е. Козырев, Н. С. Кузнецов
ОАО «Московский завод “Сапфир”», Россия
О. Г. Романов, А. Н. Чиванов
ГП ВНЦ “ГОИ им. С. И. Вавилова”, Санкт-Петербург, Россия
Выполнены исследования влияния различных факторов (способ обработки поверхности полупроводникового материала, концентрация примеси, способ изготовления электрических контактов, глубина разделительных канавок и др.) на фотоэлектрические параметры фотоприемника на основе германия, легированного ртутью. Разработаны конструкция и базовые технологические процессы изготовления вакуумных фотоприемников с охлаждаемой апертурной диафрагмой, работающих при температуре 30 К. Проведены испытания разработанных фотоприемников (ФП), состыкованных с газовой криогенной машиной.
Содержание