№ 4 | Основан в 1994 г. | Москва 2004 |
Монокристаллы TlGa1-xFexS2 как новые приемники излучения
Э. М. Керимова, С. Н. Мустафаева, С. И. Мехтиева
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, Республика Азербайджан
Изучено влияние частичного замещения Ga® Fe в монокристаллах TlGaS2 на их фотоэлектрические свойства. Указанное замещение в количестве 1—2 % Fe приводило к полной перестройке спектров фототока. Полученные экспериментальные результаты показали, что изменением температуры от 300 до 370 К можно управлять энергией максимума фототока монокристаллов TlGa0,99Fe0,01S2 от 1,98 до 1,70 эВ.