ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 4 Основан в 1994 г. Москва 2004


Особенности роста и фотопроводимость эпитаксиальных пленок твердых
растворов Pb1-xMnxTe (Ga)

И. Р. Нуриев, С. С. Фарзалиев, Х. Д. Джалилова, Р. М. Садыгов
Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, г. Баку, Республика Азербайджан

   Исследованы особенности роста и фотопроводимость эпитаксиальных пленок Pb1-xMnxTe (Ga) (0 ≤ х ≤ 0,04), выращенных на подложках BaF 2 (111, 100) методом эпитаксии из молекулярных пучков. Установлено, что пленки с более совер-шенной кристаллической структурой (W1/2 = 80—100"), толщиной 0,5—1 мкм получаются при скоростях конденсации uk = 5—10 °A /с и Тs = 400 °С. Были получены высокоомные пленки n-, р-типа проводимости и показано, что они являются фоточувствительными. Максимум в спектрах фотопроводимости смещается в сторону более коротких волн с ростом содержания марганца в образцах, что объясняется увеличением ширины запрещенной зоны.

Содержание