Влияние ионизирующих излучений на работоспособность фотодиодов на основе теллурида галлия
К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. И. Караев, Р. Ю. Алиев
Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, г. Баку, Республика Азербайджан
Рассмотрено влияние факторов ядерного взрыва на основные параметры фотодиодов, разработанных на основе слоистого монокристалла теллурида галлия и работающих в спектральном диапазоне 0,4—1,1 мкм. В результате проводимых исследований установлено, что среднее значение времени потери (или восстановления) работоспособности фотодиодов на основе теллурида галлия в условиях импульсного гамма-облучения и импульсного нейтронного облучения составляет t ≤ 1,8 с.
Содержание