ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 5 Основан в 1994 г. Москва 2004


К вопросу о механизме влияния легирования редкоземельными элементами на фотолюминесценцию монокристаллов соединений А3В6 со слоистой структурой

А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева
Бакинский государственный университет, г. Баку, Республика Азербайджан

   Исследовано влияние легирования редкоземельными элементами (Gd, Ho, Dy) на фотолюминесценцию (ФЛ) монокристаллов селенидов индия и галлия. Установлено, что при рассмотренных условиях (T = 77—300 К) легирования редкоземельными элементами (РЗЭ) с NREE = 10-5—10-1 ат. % существенно меняются характеристики и параметры ФЛ указанных кристаллов. Однако эти изменения почти не связаны с материалом вводимой примеси РЗЭ, а обусловлено лишь изменением свойств самого полупроводника. Предполагается, что в зависимости от NREE меняются как межслоевые связи, так и степени структурных и пространственных дефектов в изучаемых образцах.

Содержание