№ 5 | Основан в 1994 г. | Москва 2004 |
Влияние ионизирующих излучений на фотоэлектрические свойства твердых растворов GaSxSe1-x
К. А. Аскеров, Ф. И. Исмайлов
Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку, Республика Азербайджан
Исследовалось влияние ионизирующих излучений различного вида на фотоэлектрические свойства твердых растворов GaSxSe1-x (0 ≤ х ≤0,25). Установлено, что изменение физических свойств исследуемых образцов в результате воздействия ионизирующего излучения является обратимым процессом, связанным в основном с эффектами ионизации и эффектами на поверхности. Показано, что эти материалы могут быть использованы в качестве чувствительного элемента для изготовления датчиков ионизирующего излучения.