ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
2014, № 1 |
Основан в 1994 г. |
Москва |
СОДЕРЖАНИЕ
Аксинин В.И., Казанцев С.Ю., Кононов И.Г., Кудрявцев Е.М., Орлов А.А., Подлесных С.В., Фирсов К.Н., Хорозова О.Д
Конверсия SiF4 во фторсиланы и моносилан в плазме объемного самостоятельного разряда
| | 5 |
Александров А.Ф., Вавилин К.В., Кралькина Е.А., Неклюдова П.А., Павлов В.Б.
Исследование параметров плазмы ВЧ-индуктивного источника плазмы диаметром 46 см. Часть II. Математическое моделирование параметров
плазмы индуктивного и гибридного ВЧ-разрядов
| | 9 |
Бардаков В.М., Иванов С.Д., Казанцев А.В., Строкин Н.А.
К вопросу о реализации плазмооптической масс-сепарации
| | 12 |
Ернылева С.Е., Лоза О.Т.
Конфигурации импульсно-периодических плазменных релятивистских СВЧ-генераторов
| | 17 |
Иванов В.А., Коныжев М.Е., Зимин А.М., Тройнов В.И., Камолова Т.И., Летунов А.А.
Измерение электронной температуры в микроплазменных разрядах, развивающихся на поверхности титана при импульсном электрическом токе 100А
| | 21 |
Смоланов Н. А., Панькин Н.А., Батин В.В., Павкин Е.П.
Структура и некоторые свойства пылевых частиц из плазмы дугового разряда
| | 30 |
Тазмеева Р.Н., Тазмеев Б.Х.
Экспериментальное исследование массового уноса жидкого электролитного катода под воздействием газового разряда
| | 35 |
Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Корнеева М.Д., Шабаров В.В.
Аналитическая модель для расчета параметров матричных фотоприемных устройств
| | 38 |
Андреев Д.С., Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А.
Матричные фоточувствительные элементы на основе планарных фотодиодов из гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP
| | 47 |
Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А., Козлов К.В., Соляков В.Н.
Метод исследования параметров ФПУ с ВЗН формата 1024?10 на основе КРТ
| | 53 |
Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А., Козлов К.В., Соляков В.Н.
Особенности ФПУ с режимом ВЗН формата 1024x10 на основе КРТ
| | 58 |
Кузнецов П.А., Мощев И.С.
Построение БИС считывания с аналогово-цифровым преобразованием фотосигнала в ячейке матричных ФПУ длинноволнового ИК-диапазона
| | 63 |
Демидов С.С., Климанов У.А., Колесникова Т.Г., Смирнов А.А.
Влияние примесей переходных элементов на темновые токи кремниевых фотодиодов
| | 68 |
Андреев Д.С., Лопухин А.А., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В.
Исследование темновых токов в матрицах из InGaAs/InP
| | 74 |
Сахаров М.В., Астраускас Й.И.
Оценка эффективности решения информационных задач оптико-электронной системой «смотрящего» типа с инфракрасным матричным
фотоприёмным устройством в поле лазерного излучения
| | 78 |
Полесский А.В., Самвелов А.В., Семенченко Н.А., Смирнова Е.А., Хамидуллин К.А.
Исследование влияния работы микрокриогенной системы интегрального типа на характеристики оптико-электронных систем
| | 83 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
| |
23-я Международная Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| | 88 |
Правила для авторов журнала «Прикладная физика»
| | 89 |
Содержание других выпусков журнала
|