ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


2014, № 1 Основан в 1994 г. Москва


СОДЕРЖАНИЕ

Аксинин В.И., Казанцев С.Ю., Кононов И.Г., Кудрявцев Е.М., Орлов А.А., Подлесных С.В., Фирсов К.Н., Хорозова О.Д Конверсия SiF4 во фторсиланы и моносилан в плазме объемного самостоятельного разряда  5
Александров А.Ф., Вавилин К.В., Кралькина Е.А., Неклюдова П.А., Павлов В.Б. Исследование параметров плазмы ВЧ-индуктивного источника плазмы диаметром 46 см. Часть II. Математическое моделирование параметров плазмы индуктивного и гибридного ВЧ-разрядов   9
Бардаков В.М., Иванов С.Д., Казанцев А.В., Строкин Н.А. К вопросу о реализации плазмооптической масс-сепарации   12
Ернылева С.Е., Лоза О.Т. Конфигурации импульсно-периодических плазменных релятивистских СВЧ-генераторов   17
Иванов В.А., Коныжев М.Е., Зимин А.М., Тройнов В.И., Камолова Т.И., Летунов А.А. Измерение электронной температуры в микроплазменных разрядах, развивающихся на поверхности титана при импульсном электрическом токе 100А   21
Смоланов Н. А., Панькин Н.А., Батин В.В., Павкин Е.П. Структура и некоторые свойства пылевых частиц из плазмы дугового разряда   30
Тазмеева Р.Н., Тазмеев Б.Х. Экспериментальное исследование массового уноса жидкого электролитного катода под воздействием газового разряда   35
Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Корнеева М.Д., Шабаров В.В. Аналитическая модель для расчета параметров матричных фотоприемных устройств   38
Андреев Д.С., Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А. Матричные фоточувствительные элементы на основе планарных фотодиодов из гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP   47
Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А., Козлов К.В., Соляков В.Н. Метод исследования параметров ФПУ с ВЗН формата 1024?10 на основе КРТ   53
Бочков В.Д., Дражников Б.Н., Кузнецов П.А., Козлов К.В., Соляков В.Н. Особенности ФПУ с режимом ВЗН формата 1024x10 на основе КРТ   58
Кузнецов П.А., Мощев И.С. Построение БИС считывания с аналогово-цифровым преобразованием фотосигнала в ячейке матричных ФПУ длинноволнового ИК-диапазона   63
Демидов С.С., Климанов У.А., Колесникова Т.Г., Смирнов А.А. Влияние примесей переходных элементов на темновые токи кремниевых фотодиодов   68
Андреев Д.С., Лопухин А.А., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В. Исследование темновых токов в матрицах из InGaAs/InP   74
Сахаров М.В., Астраускас Й.И. Оценка эффективности решения информационных задач оптико-электронной системой «смотрящего» типа с инфракрасным матричным фотоприёмным устройством в поле лазерного излучения   78
Полесский А.В., Самвелов А.В., Семенченко Н.А., Смирнова Е.А., Хамидуллин К.А. Исследование влияния работы микрокриогенной системы интегрального типа на характеристики оптико-электронных систем   83

ИНФОРМАЦИЯ
 
   
23-я Международная Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения   88
Правила для авторов журнала «Прикладная физика»   89


Содержание других выпусков журнала