ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА®

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


2017, № 3 Основан в 1994 г. Москва


СОДЕРЖАНИЕ


ОБЩАЯ ФИЗИКА
 
Бураченко А. Г., Белоплотов Д. В., Сорокин Д. А., Тарасенко В. Ф., Бакшт Е. Х., Ломаев М. И., Липатов Е. И. Вклад катодолюминесценции и фотолюминесценции в сигналы с алмазных детекторов пучков убегающих электронов  5
Расмагин С. И., Крыштоб В. И. Методика измерения времен релаксации фотопроводимости полупроводника в микроволновом поле при импульсном лазерном излучении  11
Логинов В. М. Стохастический нагрев нерелятивистских заряженных частиц в электрических полях со случайными переключениями  16
Крикунова А. И., Сон Э. Е., Клинков К. В., Eigenbrod C. Влияние гравитационных сил на процессы горения  21

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
 
Бакеев И. Ю., Зенин А. А., Климов А. С., Окс Е. М. О возможности прецизионной электронно-лучевой обработки протяженных диэлектрических изделий плазменным источником электронов в форвакууме   26
Гришин Ю. М., Мяо Лун О вихревом режиме аргон-водородного плазменного потока в канале высокочастотного индукционного плазмотрона   31
Балмашнов А. А., Калашников А. В., Калашников В. В., Степина С. П., Умнов А. М. Самовозбуждение низкочастотных колебаний в плазменном кольце, формируемом ЭЦР-разрядом в узком коаксиальном резонаторе   37
Неклюдова П. А., Кралькина Е. А., Вавилин К. В., Задириев И. И., Никонов А. М Влияние внешнего магнитного поля на радиальное распределение ионного тока насыщения зонда в высокочастотном индук-тивном источнике плазмы   42
Андреев В. В., Пичугин Ю. П. Влияние полярности напряжения на синтез озона в диэлектрическом барьерном разряде   47
Баловнев А. В., Башутин О. А., Григорьева И. Г., Манохин И. Л., Салахутдинов Г. Х. Характеристики рентгеновского излучения микропинчевого разряда в зависимости от полярности электродов разрядной системы   52

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
 
Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Никонов А. В. Температурное разрешение тепловизионных систем с использованием фотоприемных устройств на основе CdHgTe   58
Галочкин А. В., Ащеулов А. А., Захарук З. И., Дремлюженко С. Г., Романюк И. С. Фотодиодные структуры на основе CdTe и CdMnTe   65

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
 
Муслимов А. Э., Рабаданов М. Х., Исмаилов А. М. Влияние структурного совершенства пленок оксида цинка на их электрические и оптические свойства   72
Дудин А. Л., Миронова М. С., Яковлев Г. Е., Фролов Д. С., Коган И. В., Шуков И. В., Зубков В. И., Глинский Г. Ф. Исследование PHEMT-структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией   78
Кармоков А. М., Дышекова А. Х., Молоканова О. О. Измерение краевого угла смачивания свинцом поверхности оксида железа и реакторной стали ЭИ-852   85
Трофимов А. А. Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы   89
Козлов Г. В., Долбин И. В. Перколяционные модели для описания степени усиления модуля упругости высоконаполненных нанокомпозитов полиуретан/графен   96
Шабрин А. Д., Гончаров А. Е., Пашкеев Д. А., Ляликов А. В., Егоров А. В. Анализ разориентации монокристаллических блоков объемного кристалла InSb   101

ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
 
Архипов В. П., Желаев И. А., Ивашкин А. Б., Камруков А. С., Семенов К. А. Мультиспектральные фотоэлектрические преобразователи для измерения излучательных характеристик импульсных источников широкополосного оптического излучения   107
Полесский А. В., Юдовская А. Д. Обоснование требований к элементам установки измерения пятна рассеяния объектива на основе матричного фотоприемного устройства   115


Содержание других выпусков журнала