ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
Крутов В. В., Сигов А. С.
Формирование сегнетоэлектрических фотонных кристаллов с периодом 1,5–10 мкм с
использованием поперечных акустических волн
| | 5 |
Свиридов А. Н., Сагинов Л. Д.
Тепловое излучение субволновых частиц
| | 5 |
Исмаилов А. М., Муслимов А. Э., Каневский В. М.
Люминесцентный анализ процессов травления сапфира с нанокристаллами золота в потоке электронов
| | 22 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Каторов А. С., Ревазов В. О., Якубов Р. Х.
Особенности инициирования разряда в вакуумном промежутке излучением ИК-диапазона
| | 30 |
Гавриш С. В., Кугушев Д. Н., Пугачев Д. Ю., Ушаков Р. М.
Пространственное распределение излучения импульсных ксеноновых ламп с различной конфигурацией плазменного канала
| | 37 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
Саенко А. В., Малюков С. П., Палий А. В., Гончаров Е. В.
Влияние дырочного проводящего слоя Cu2O на характеристики перовскитных солнечных элементов
| | 45 |
Яковлева Н. И.
Усовершенствованная архитектура фотодиода на основе CdHgTe, предназначенного для регистрации
слабого инфракрасного излучения
| | 52 |
Улькаров В. А., Дирочка А. И., Яковлева Н. И.
Метод расчета концентрации носителей заряда в полупроводниковых соединениях группы
нитридов с учетом модели зонных состояний
| | 60 |
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
|
Жабин Г. А., Лябин Н. А., Скупневский Е. В., Архипов Д. Ю., Долгих К. О.
Возможности применения фемтосекундного волоконного лазера в изготовлении термоэмиссионных катодов
| | 67 |
Кравчук Д. А.
Моделирование восстановления оптоакустического изображения оксигенированных эритроцитов
| | 72 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
Гандилян С. В., Гандилян Д. В.
Физико-математическое моделирование динамических процессов самоорганизации в сложных наноэлектромеханических системах
| | 78 |
Денисов Д. Г.
Многофакторная модель управления формообразованием крупногабаритных оптических деталей
| | 85 |
Рыков А. В., Луппов А. В., Поздин В. Н.
Методы комплексного анализа сигналов для тестирования радиоприёмной аппаратуры
| | 95 |