История, современное состояние и перспективы развития полупроводниковых матричных ИК фотодиодных структур и технологий.
Акимов В.М., Климанов Е.А., Лисейкин В.П., Тимофеев А.А., Щукин С.В., Юнгерман В.М.
Государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН", Москва, Россия.
Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО "Орион". Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам.