О ВОЗМОЖНОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ PIN-ФОТОДИОДОВ НА КРЕМНИИ

В.П.Астахов, Д.А.Гиндин, В.В.Карпов, К.В.Сорокин
ОАО «Московский завод "Сапфир"», Москва, Россия

          Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик (ВАХ) планарных ионно-легированных и диффузионных pin-диодов с охранным кольцом и без него на высокоомном р-кремнии. Показано, что имплантации периферии планарных n+-p-переходов ионами Ar+ или N2+ с энергией 100 кэВ и дозами выше пороговой величины, индивидуальной для каждого способа легирования, деформирует и прямую, и обратную ветви ВАХ в сторону "идеальных": коэффициент неидеальности прямой ветви приближается к 1, а показатель степени "n" обратной ветви вида I - Un - к 0,5. Кардинальные улучшения наблюдаются в структурах обоих типов - с охранным кольцом и без него. При этом ВАХ ионно-легированных и "плохих" диффузионных структур становятся соответствующими ВАХ лучших диффузионных pin-фотодиодов, получаемых в условиях производства
ОАО «Московский завод "Сапфир"».

Содержание журнала "Прикладная физика" N 6, 1999 г.