Рассмотрены особенности пригодной к серийному выпуску технологии изготовления и основные фотоэлектрические характеристики одноэлементных и многоэлементных pin-фотодиодов для работы в области спектра 0,8-0,9 мкм и для приема импульсного лазерного излучения 1,06 мкм. Диаметр фото- чувствительных площадок лежит в пределах 0,2-16 мм. Обсуждены перспективы изготовления одноэлементных лавинных фотодиодов и линеек с количеством элементов 8-10 для работы в широком спектральном диапазоне 0,6-1,1 мкм с коэффициентом умножения 10-100.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 6, 1999 г.