ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
| Морозов А.Н., Скрипкин А.В.
Статистическое описание флуктуаций тока через конденсатор с приложенным к нему случайным напряжением
| | 5 |
| Барбин Н.М., Овчинникова И.В., Терентьев Д.И., Алексеев С.Г.
Термодинамическое моделирование термических процессов, происходящих в расплавленном сплаве Bуда при различных условиях
| | 8 |
| Барбин Н.М., Тиркина И.В., Терентьев Д.И., Алексеев С.Г.
Термодинамическое моделирование паровой фазы при испарении расплавленного сплава Вуда при различных давлениях
| | 12 |
| Мелкумян Б.В.
Изменение моды при движении фазового скелета излучения
| | 17 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
| Кузенов В.В., Рыжков С.В., Шумаев В.В.
Определение термодинамических свойств замагниченной плазмы на основе модели Томаса–Ферми
| | 22 |
| Кузенов В. В., Рыжков С. В.
Радиационно-гидродинамическое моделирование контактной границы плазменной мишени, находящейся во внешнем магнитном поле
| | 26 |
| Балмашнов А.А., Степина С.П., Умнов А.М.
Параметры ЭЦР-плазмы, формируемой в узком коаксиальном резонаторе плазменного инжектора CERA-RI-2
| | 31 |
| Курбанисмаилов В.С., Омаров О.А., Рагимханов Г.Б.
Излучательные и спектральные характеристики искрового канала в аргоне
| | 35 |
| Андреев В.В., Матюнин А.Н., Пичугин Ю.П.
Плазмохимический генератор озона с повышенной однородностью микроразрядных процессов в барьерном разряде
| | 39 |
| Андреев В.В., Васильева Л.А., Пичугин Ю.П.
Исследование энергетической цены синтеза озона в ячейках поверхностного диэлектрического барьерного разряда
| | 43 |
| Семенов А.П., Балданов Б.Б., Ранжуров Ц.В., Норбоев Ч.Н., Намсараев Б.Б., Дамбаев В.Б., Гомбоева С.В., Абидуева Л.Р.
Воздействие низкотемпературной аргоновой плазмы слаботочных высоковольтных разрядов на микроор-ганизмы
| | 47 |
ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ
|
| Балмашнов А.А., Калашников А.В., Калашников В.В., Степина С.В., Умнов А.М.
Самоорганизация сгустков электронов в ЭЦР-источнике рентгеновского излучения CERA-RX(C)
| | 51 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
| Мирофянченко А.Е., Коротаев Е.Д., Яковлева Н.И.
Исследование морфологии поверхности полупроводниковых подложек InSb, предназначенных для ИК-фотоэлектроники
| | 55 |
| Яковлева Н.И., Болтарь К.О., Никонов А.В., Бункина Н.А.
Особенности спектральной зависимости поглощения эпитаксиальных структур CdHgTe
| | 61 |
| Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Мансветов Н.Г.
Характеристики охлаждаемой диафрагмы МФПУ среднего инфракрасного диапазона спектра
| | 67 |
| Кононов М.Е., Полесский А.В., Хамидулллин К.А.
Фотоэлектрическая связь ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства на основе гетероструктур AlGaN
| | 71 |
| Андреев Д.С., Будтолаева А.К., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В.
Влияние диффузии серы из подложки InP гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP на параметры pin-фотодиодов
| | 75 |
| Андреев Д.С., Будтолаева А.К., Огнева О.В., Чинарева И.В.
Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP
| | 79 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
| Железнов Ю.А., Малинский Т.В., Миколуцкий С.И., Токарев В.Н., Хасая Р.Р., Хомич Ю.В., Ямщиков В.А.
Экспериментальная установка по микро- и наноструктурированию поверхности твердых тел лазерным излучением
| | 83 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
| |
|
Правила для авторов журнала «Прикладная физика»
| | 89 |
Содержание других выпусков журнала