УДК 621.315.592

МАГНИТОТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
КОММУТАЦИОННЫХ КОНТАКТОВ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ
НА ОСНОВЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Bi85Sb15

М. М. Тагиев

Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, Баку, Азербайджанская Республика

          Проведено исследование зависимости сопротивления переходного контакта rк экструдированных образцов твердого раствора Bi85Sb15 со сплавом, мас. %, 57Bi + 43Sn с Тпол > 412 К от напряженности магнитного поля и температуры. Данный контактный сплав широко используется при коммутации термоэлементов на основе твердых растворов систем Bi--Sb. При нанесении контакта на торцы экструдированных образцов Bi85Sb15 происходит взаимная диффузия компонентов твердого раствора и контактного сплава друг в друге. Поэтому в результате диффузии атомов Sn из контактного сплава в твердый раствор Bi85Sb15 вблизи контакта возникает приконтактный слой данного твердого раствора, легированный атомами олова. Показано, что легированием приконтактного слоя ветвей термоэлементов из твердого раствора Bi85Sb15 донорными примесями, компенсирующими действиями акцепторных атомов, диффундирующих из контактного сплава в этой слой, можно значительно понизить rк и повысить эффективность термоэлементов.

          Кристаллы твердых растворов систем Bi-Sb фоточувствительны ИК-области спектра, а также являются эффективными термо- и магнитотермоэлектрическими материалами для ИК- фотоприемников. Эффективность фото- и термоэлектрических преобразователей, кроме фундаментальных параметров полупроводникового материала, определяется также и физическими свойствами переходных контактов указанных преобразователей. Поэтому исследование зависимости переходного сопротивления термоэлементов на основе твердых растворов систем Bi-Sb от температуры и напряженности магнитного поля представляет интерес как для физики электронных процессов, происходящей на переходных контактах полупроводник - контактный сплав, так и для прикладных задач низкотемпературного фото- и магнитотермопреобразования энергии.
          В данной работе проведено исследование зависимости сопротивления переходного контакта rк экструдированных образцов твердого раствора Bi85Sb15 со сплавом, мас. %, 57Bi + 43Sn c Тпл > 412 К от напряженности магнитного поля и температуры. Данный контактный сплав широко используется при коммутации термоэлементов на основе твердых растворов систем Bi-Sb.
          Экструдированные бруски твердого раствора Bi85Sb15 диаметром ~ 6 мм были получены по технологии, описанной в работе [1]. Образцы для исследований вырезали из экструдированных брусков. Контактное сопротивление измеряли зондовым методом на переменном токе. На тех же образцах Bi85Sb15, в которых исследовалось сопротивление переходного контакта, измерены и удельные сопротивления.
          Опыты проводились в интервале температур от ~77 до 300 К и напряженности магнитного поля до
Н = 74·104 А/м.
          Электрические измерения проводили вдоль оси экструзии. Были исследованы образцы, не прошедшие после экструзии термообработку, и эти же образцы, прошедшие после экструзии термообработку при ~503 К в течение 5 ч [2].
          Полученные данные представлены в таблице.

Электрические параметры образцов и переходных контактов при температуре 77 К   Bi85Sb15

Образцы, не прошедшие термообработку Образцы, прошедшие термообработку после
экструзии при 503 К в течение 5 ч
Н = 0 Н = 74·104 А/м Н = 0 Н = 74·104 А/м
rк·10-5,
Ом·см2
r·10-7,
Ом·см
Drк/rк0 Dr/r0 rк·10-5,
Ом·см2
r·10-7,
Ом·см
Drк/rк0 Dr/ r0
8,0 5668 2,25 1,83 3,1 1889 11,2 7,3

          Из таблицы видно, что характер изменения сопротивления переходного контакта rк твердого раствора Bi85Sb15 эвтектическим сплавом и удельного сопротивления r самого твердого раствора экструдированного образца Bi85Sb15 от напряженности магнитного поля одинаковый.
          Достаточно сильные по сравнению с удельным сопротивлением r зависимости rк переходного контакта Bi85Sb15 с контактным сплавом от напряженности магнитного поля можно объяснить следующим.
          При нанесении контакта на торцы экструдированных образцов Bi85Sb15 происходит взаимная диффузия компонентов твердого раствора и контактного сплава друг в друге. Поэтому в результате диффузии атомов Sn из контактного сплава в твердый раствор Bi85Sb15 вблизи контакта возникает приконтактный слой данного твердого раствора, легированный атомами олова. В результате возникает структура твердый раствор Bi85Sb15 - промежуточный слой твердого раствора Bi85Sb15, сильнолегированный акцепторными атомами олова - контактный сплав. Удельное сопротивление промежуточного слоя при ~77 К (твердого раствора Bi85Sb15, легированного Sn) несколько раз превышает удельное сопротивление чистого Bi85Sb15. Кроме того, образцы, легированные атомами Sn с концентрацией более 0,01 ат. %, обладают при 77 К р-типом проводимости [1, 3]. Поэтому переходное контактное сопротивление структуры в основном будет определяться переходным сопротивлением перехода твердый раствор Bi85Sb15 - промежуточный слой. В магнитном поле с ростом напряженности магнитного поля до 74·104 А/м удельное сопротивление Bi85Sb15 сильно растет. Одновременно растет и удельное сопротивление промежуточного слоя (например, наши эксперименты показали, что экструдированные образцы с 0,1 ат. % Sn имеют при ~77 К r/ > 5·10-4 Ом·см и с ростом напряженности магнитного поля до 74·104 А/м r почти линейно растет и достигает до ~6·10-4 Ом·см). Из-за этого рост rк структуры Bi85Sb15 - промежуточная фаза под действием магнитного поля более сильный, чем рост удельного сопротивления чистого Bi85Sb15.
          Это предположение нами подтверждено экспериментально легированием образцов Bi85Sb15 донорными примесями теллура. Введением в Bi85Sb15 атомов теллура в определенный концентрации можно скомпенсировать действие акцепторных атомов Sn в приконтактный области. Эксперименты показали, что действительно в случае экструдированных образцов Bi85Sb15 с 0,005-0,1 ат. % Те сопротивление переходного контакта Bi85Sb15 - контактный сплав при 77 К примерно на порядок меньше, чем в случае чистого твердого раствора Bi85Sb15, и зависимость (rк - rк0)/ rк0 от напряженности магнитного поля (Н) достаточно хорошо соответствует зависимости (r-r0)/r0 от Н. Эти данные также показывают, что легированием приконтактного слоя ветвей термоэлементов из твердого раствора Bi85Sb15 донорными примесями, компенсирующими действия акцепторных атомов диффундирующих из контактного сплава в этот слой, можно значительно понизить rк и повысить эффективность термоэлементов.
          При температурах выше ~120 К тип проводимости твердого раствора Bi85Sb15, легированного Sn, становится электронным [1, 3]. Кроме того, при высоких температурах действие примесей Sn на r твердого раствора Bi85Sb15, в том числе и на r промежуточного слоя, ослабляется. Поэтому при
300 К, несмотря на то, что значения удельного сопротивления как твердого раствора Bi85Sb15, так и промежуточного слоя (слоя Bi85Sb15, легированного Sn) незначительно отличаются от значений r при 77 К, контактное сопротивление rк при 300 К в ~2 раза меньше, чем при 77 К. Изменение rк структуры под действием магнитного поля при ~300 К также хорошо коррелирует изменением r чистого Bi85Sb15 и промежуточного слоя.
          При экструзии за счет пластической деформации в образцах параллельно образованию текстуры образуются структурные дефекты [4]. Эти дефекты являются центрами рассеяния для носителей заряда и уменьшают их подвижность. Одновременно увеличивается концентрация носителей заряда, что вызвано образованием электрически активных центров на дефектах. Отжиг прутков после экструзии приводит к исчезновению этих областей, что заканчивается ростом подвижности носителей заряда. Вследствие этого магниторезистивный эффект и изменение rк под действием магнитного поля в отожженных образцах сильнее, чем в неотожженных.
          Благодаря применению результатов данной работы можно улучшить параметры фото- и магнитотермоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов систем Bi-Sb.

          Л и т е р а т у р а

          1. Т а г и е в М. М., А б д и н о в Д. Ш. Магнитотермоэлектрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi85Sb15, легированного свинцом//Неорганические материалы, 1995. Т. 31. N11. С. 1405-1407.
          2. Т а г и е в М. М., А г а е в З. Ф., А б д и н о в Д. Ш. Термоэлектрические свойства экструдированных образцов Bi85Sb15//Там же. 1994. Т. 30. N 3. С. 375-378.
          3. З е м с к о в В. С., Б е л а я А. Д., Г у с а к о в В. П., Р о с л о в С. А. Гальвано- и термомагнитные свойства сплавов висмут-сурьма, легированных оловом: Деп. ВИНИТИ. N 2888-74. 1994. - 25 с.
          4. Г о р е л и к С. С., Д а ш е в с к и й М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. - М.: Металлургия. 1988. С. 499.

 

MAGNETOTHERMOELECTRICАL PROPERTIES
OF CHARACTERISTIC COMMUTATIONAL CONTACTS
OF THERMOELEMENTS ON THE BASE OF Bi85Sb15

M. M. Tagiyev
Institute of Photoelectronics of the Azerbaijan Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

          In present work study of dependencies of transional contact rк of extruded samples Bi85Sb15 solid solution with the alloy mas. %, 57Bi + 43Sn with melting temperature Tm > 412 K on the intensity of magnetic field and temperature. This contact alloy is broadly use at commutation of thermoelements on the base Bi-Sb system solid solution. At the fixing of contact on torahs of extruded samples Bi85Sb15 occurs a mutual diffusion of components of solid solution and contact alloy each to other. So as result of diffusions of atoms Sn from the contact alloy in Bi85Sb15 solid solution near the contact appears near-contact layer of given solid solution, doped by atoms of tin. By doping near contact layer of branches of thermoelements on the base of Bi85Sb15 solid solution with donor impurities, compensating action of acceptor atoms, diffusing from the contact alloy in this layer, possible vastly lower rк and raise efficiency of thermoelements.

Содержание журнала "Прикладная физика" N 3, 1999 г.