ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
№ 3, 1999
Тематический номер журнала по материалам 15-й Международной научно-технической
конференции по фотоэлектронике, электронным и ионно-плазменным технологиям.
Представлен полный текст всех статей
П р е д и с л о в и е
- Курбатов Л.Н. Основные направления разработок фотоприемников и фотоприемных устройств для тепловидения в период 1970-1978 гг.
- Винецкий Ю.Р., Козырев Ю.Д., Хакуашев П.Е. Система автоматизированных измерений спектральных характеристик плотности слабых излучений.
- Акимов В.М., Болтарь К.0., Лисейкин В.П., Климанов Е.А., Тимофеев А.А., Щукин С.В. Охлаждаемые МОП-мультиплексоры для ИК-матриц "смотрящего" типа.
- Бовина Л.А., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Головин С.В., Иванов В.Ю., Сагинов Л.Д. Стафеев В.И., Акимов В.М., Климанов Е.И., Лакеенков В.М., Сидоров Ю.Г. Матричные фотоприемники формата 128х128 и 384х288 на основе фотодиодов из CdxHg1-xТе.
- Бовина Л.А., Стафеев В.И. Болтарь К.О., Лакеенков В.М., Лощинина М.А. Исследование стабильности характеристик фотодиодов из CdxHg1-xТе.
- Акимов В.М., Васильков В.Н., Касаткин И. Л.. Климанов Е.А., Кравченко Н.В., Морозов В.А., Рябова А.А., Чишко В.Ф. Матричное фотоприемное устройство на основе InSb форматом 128х128 элементов.
- Горелик Л. И., Куликов К.М., Трошкин Ю.С., Шаронов Ю.П. Применение фоторезисторов на основе CdxHg1-xТе для работы в гетеродинном режиме.
- Горелик Л.И., Кравченко Н.В., Куликов К.М., Трошкин Ю.С. Применение фоторезисторов на основе CdxHg1-xТе для приема импульсного излучения СО2 лазера.
- Трошкин Ю.С., Чапкевич А.Л., Горбунов Е.К., Посевин О.М., Самвелов Ю.С. Микрокриогенная система (МКС) с газовой криогенной машиной Стрилинга интегрального типа для охлаждения фоточувствительных элементов.
- Кощавцев Н.Ф., Кощавцев А.Н., Федотова С.Ф. Анализ перспектив приборов ночного видения.
- Добровольский Ю.А. Кощавцев Н.Ф., Соколев Д.С., Федотова С.Ф., Шустов Н.М. Малогабаритные очки ночного видения.
- Дoбровольский Ю.А. Кощавцев Н.Ф., Шустов Н.М. Новый прицельный комплекс.
- Корольков В.П., Юрков А.Н., Микертумянц А.Р. Получение силицидов никеля методом вжигания пленки металла в поликремневую пленку.
- Забелина Л.Г., Петров А.С. Гетероэпитаксиальные структуры на основе арсенида галлия для фотокатодов до 1,1 мкм.
- Забелина Л.Г., Левина Е.Е., Петров А.С., Русанова Т.А. Гибридные приборы на основе электровозбуждаемых ФППЗ с различными типами фотокатов.
- Березкин Н.А., Дун А.3., Меркин С.Ю. Новая высокочувствительная телевизионная передающая трубка с пироэлектрической мишенью, использующая эффект модуляции тока электронного луча, РЕМЕТ (РугоЕlесtгiс Моdu1аtiоп Еffесt Тube).
- Степанов P.M., Станская Т.Е., Меркин С.Ю. Портативная тепловизионная камера длинноволнового ИК диапазона для широкого круга применений.
- Коршунова Г.И., Степанов P.M., Наумов Ю.В., Андреева К.П. Телевизионный передающий прибор для области спектра 0,4...2,0 мкм.
- Аскеров К.А., Алиев Р.Ю., Караев Д.И. Исследование воздействия ионизирующих излучений на свойства термоэлектрических охладителей.
- Тагиев М.М. Магнитоэлектрические свойства коммутационных контактов термоэлементов на основе твердого раствора Bi85Sb15.
- Гасанов И.С. Электрогидродинамический источник ионов и микрокапель.
- Салаев Э.Ю.. Нуриев И. Р., Джалилова Х.Д., Фараджаев Н.В. Особенности роста и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe:In.
- Алиева Т.Д., Ахундова Н. М., АбдиновД.Ш. Электронные и физико-химические явления в коммутационных контактах термоэлементов термоэлектрических охладителей.
- Алиева Т.Д.. Ахундова Н.М., Абдинов Д.Ш. Влияние удельного сопротивления ветвей и сопротивления переходных контактов на термоэлектрические свойства термоэлементов.
- Тагиев М.М., Самедов Ф.С., Агаев З.Ф. Высокоэффективный экструдированный материал на основе Bi0,85Sb0,15 низкотемпературных электронных охладителей.
- Нуриев И.3., Ахмедов Э.Ф., Салаев Э.Ю., Абдуллаев М.И. Перспективный метод получения эпитаксиальных пленок и р-п структур в сверхвысоком вакууме.
- Гусейнов Э.К., Казиев Ф.Н. Неохлаждаемые детекторы излучения для средней ИК-области спектра на основе CdxHg1-xТе.
- Алиев Р.Ю., Аскеров К.А. Влияние ионизирующих излучений на
основные параметры фотодиодов на основе селенида индия.
Предисловие к тематическому номеру журнала
28-30 октября 1998 г. в Москве состоялась XV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике, электронным и ионно-плазменным технологиям. Организатором конференции явился Государственный научный центр Российской Федерации "НПО "ОРИОН".
С момента проведения предыдущего XIV Всесоюзного совещания по фотоэлектрическим полупроводниковым и тепловым приемникам излучения минуло семь лет (первое совещание было организовано в 1962 г.). Конференция подвела итоги почти десятилетнего периода исследований и разработок в одной из приоритетных областей современной науки и техники.
В конференции приняли участие специалисты из ведущих научных учреждений Москвы, Санкт-Петербурга, Киева, Баку, Новосибирска, Казани, Нижнего Новгорода и др., сделавшие более 110 докладов по наиболее актуальным проблемам опто- и фотоэлектроники, оптического приборостроения.
Государственный научный центр РФ "НПО "ОРИОН" практически полвека разрабатывает и производит приборы для применения в технике ночного видения, тепловидении и теплопеленгации, дальнометрии, фотометрии, волоконно-оптических линиях связи и др. Процессы реорганизации в науке и оптической промышленности, происходящие в последнее время, хорошо известны. Они значительно затронули и область фотоэлектроники. Активно происходил процесс уточнения научно-технических приоритетов в развитии базовых технологий фотоприемников, создании новых средств приема и обработки оптических изображений, микроэлектроники, электронных и ионно-плазменных методов воздействия на поверхность различных материалов.
Предлагаемые читателям выпуски № 2 и № 3 журнала "Прикладная физика"
полностью посвящены новым приемникам излучения диапазонов спектра от ультрафиолетового до инфракрасного, исследованиям предельных характеристик ночной и тепловизионной аппаратуры.
Значительную часть выпусков составляют статьи по результатам создания двумерных (матричных) приемников из CdHgTe и PbSe на области спектра 3-5 и 8-14 мкм. Приводятся данные по фотоприемникам с числом элементов 4x48, 2x96, 4x128, 64x64, 128x128, 384x288 для "смотрящих" тепловизионных систем и систем со сканированием, работающих в режиме временной задержки и накопления. Их разработка фактически открывает перспективы создания нового поколения тепловизионной и теплопеленгационной аппаратуры с более высокими характеристиками. Описаны свойства "смотрящего" тепловизора на основе матрицы из CdHgTe с числом элементов 128x128, впервые созданные в "НПО "ОРИОН".
Часть статей посвящена последним результатам в области создания линейчатых (одномерных) фотоприемников из PbS, InSb, CdHgTe, неохлаждаемым болометрическим (термодетекторным) приемником иp-i-n фотодиодам из кремния.
Создание высокочувствительных приемников ближнего ИК диапазона позволило провести разработку нового класса аппаратуры для медицинской диагностики на основе спектрального анализа выдыхаемого воздуха. Этому посвящена совместная работа ЦЕНИ ИОФ АН и "НПО "ОРИОН".
Заключительную часть выпусков составляют работы по приборам ночного видения с использованием электронно-оптических преобразователей.
Представленные в выпусках статьи далеко не исчерпывают тематики докладов, сделанных на конференции. В последующих выпусках мы также надеемся опубликовать работы по наиболее актуальным теоретическим и прикладным проблемам микрофотоэлектроники, электронных и ионно-плазменных технологий.
Первый заместитель генерального директора ГУП "НПО "Орион",
д. ф.-м. н., проф. В.П.Пономаренко
Содержание журнала с 1997 г.