№ 2, 1999

• Осипов В.В., Пономаренко В.П., Селяков А.Ю. Предельные характеристики новых смотрящих гибридных ИК матриц на основе HgCdTe.
• Бритов А.Д., Надеждинский А.И., Березин А.Г., Кононов А.С., Сулейманов Н.А., Ершов О.В., Кутняк В.Г. Медицинский анализатор на лазерах и фотоприемниках ближнего ИК диапазона.
• Бакуменко В.Л., Свиридов А.Н. Новые схемы спектрометров.
• Анисимова И.Д., Стафеев В.И. Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе широкозонных соединений A₃B₅.
• Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Исследование фотоэлектрических размеров элементов в матричных фотоприемниках.
• Болтарь К.О., Бовина Л.А., Сагинов Л.Д., Стафеев В.И., Гибин И.С., Малеев В.М. Тепловизор на основе "смотрящей" матрицы из Cd_0,2Hg_0,8Te формата 128х128.
• Гусева З.И., Евсеева О.Н., Мезин Ю.С., Средин В.Г. Аномалии состава собственного окисла, выращенного на поверхности КРТ различной ориентации.
• Бовина Л.А., Стафеев В.И. Фотодиоды и фотодиодные матрицы на основе Cd_xHg_1-xTe.
• Трошкин Ю.С., Филатов А.В., Алексеечева В.С., Гусаров А.В., Коршунова А.П., Пововян Г.Э., Посевин О.П. Вакуумные фотоприемники для диапазона 8-12 мкм на основе фоторезисторов из CdHgTe.
• Хитрова Л.М., Трошкин Ю.С., Беляев В.П., Поповян Г.Э., Киселева Л.В. Новые полимерные материалы для изготовления ФР и ФПУ на основе КРТ.
• Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпов В.В., Соловьев Г.С., Талимов А.В., Винецкий Ю.Р., Титов А.Г., Фамицкий В.И. Результаты разработки фотодиодов на InSb с ультранизкими темновыми токами для высокочувствительных ИК ПЗС.
• Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпов В.В., Сорокин К.В. О влиянии сопротивления поверхности канала на темновой ток квадрантных p-i-n фотодиодов на кремнии.
• Маляров В.Г., Хребтов И.А., Куликов Ю.В., Шаганов И.И., Зеров В.Ю., Феоктистов Н.А. Сравнительные исследования болометрических свойств тонкопленочных структур на основе диоксида ванадия и аморфного гидрированного кремния.
• Буткевич В.Г., Глобус Е.Р., Залевская Л.Н. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца.
• Глобус Е.Р., Бутров Ю.П., Нестерова Л.И., Сорокина Ю.Н., Андрюшин С.Я., Хакуашев П.Е. Двухканальное фотоприемное устройство на основе кремниевого диода и фоторезистора PbS.
• Буткевич В.Г., Глобус Е.Р., Казанцев Г.А., Бутров Ю.П., Лебедева Л.Я. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в НПО "ОРИОН" и перспективы развития.
• Казанцев Г.А., Глебов Ю.А., Буткевич В.Г., Зверева Н.Ю., Камышина Т.А., Стрельникова Т.М. Фоточувствительные слои PbSe со смещенной длинноволновой границей фоточувствительности.
• Антипова М.А., Глобус Е.Р., Макарова Л.И., Молостова А.Ю. Кремнийорганический высокоэластичный клей-герметик для полупроводниковых структур.
• Бочков В.Д., Воропаев И.И., Храпунов М.Л. Схемотехника многоэлементных фотоприемных устройств на основе халькогенидов свинца.
• Бочков В.Д., Малюгин Ю.А., Храпунов М.Л., Залевская Л.Н., Елесин В.А. Сернисто-свинцовый 256-элементный фотомодуль.
• Бочков В.Д., Дражников В.Н., Казанцев Г.А., Кафтаненко Э.И., Храпунов М.Л. Матричное фотоприемное устройство на основе селенида свинца.
• Буткевич В.Г., Глебов Ю.А., Глобус Е.Р., Зверева Н.Ю., Ревзина О.Г., Алмазов Ю.А. Интерференционные покрытия конструктивных узлов и элементов фотоприемников.
• Бегучев В.П., Филачев А.М., Чапкевич А.Л. Электронно-оптические преобразователи. Состояние и тенденции развития.
• Кощавцев Н.Ф., Федотова С.Ф. Состояние и перспективы развития техники ночного видения.
• Волков В.Г., Кощавцев Н.Ф., Лелейкин В.И., Плешков А.А. Переносной телевизионный прибор наблюдения с дистанционной передачей изображения.
• Волков В.Г., Кощавцев Н.Ф., Ледейкин В.И., Чапнин В.А. Применение твердотельных преобразователей изображения.

28-30 октября 1998 г. в Москве состоялась XV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике, электронным и ионно-плазменным технологиям. Организатором конференции явился Государственный научный центр Российской Федерации "НПО "ОРИОН".

С момента проведения предыдущего XIV Всесоюзного совещания по фотоэлектрическим полупроводниковым и тепловым приемникам излучения минуло семь лет (первое совещание было организовано в 1962 г.). Конференция подвела итоги почти десятилетнего периода исследований и разработок в одной из приоритетных областей современной науки и техники.

В конференции приняли участие специалисты из ведущих научных учреждений Москвы, Санкт-Петербурга, Киева, Баку, Новосибирска, Казани, Нижнего Новгорода и др., сделавшие более 110 докладов по наиболее актуальным проблемам опто- и фотоэлектроники, оптического приборостроения.

Государственный научный центр РФ "НПО "ОРИОН" практически полвека разрабатывает и производит приборы для применения в технике ночного видения, тепловидении и теплопеленгации, дальнометрии, фотометрии, волоконно-оптических линиях связи и др. Процессы реорганизации в науке и оптической промышленности, происходящие в последнее время, хорошо известны. Они значительно затронули и область фотоэлектроники. Активно происходил процесс уточнения научно-технических приоритетов в развитии базовых технологий фотоприемников, создании новых средств приема и обработки оптических изображений, микроэлектроники, электронных и ионно-плазменных методов воздействия на поверхность различных материалов.

Предлагаемые читателям выпуски № 2 и № 3 журнала "Прикладная физика" полностью посвящены новым приемникам излучения диапазонов спектра от ультрафиолетового до инфракрасного, исследованиям предельных характеристик ночной и тепловизионной аппаратуры.

Значительную часть выпусков составляют статьи по результатам создания двумерных (матричных) приемников из CdHgTe и PbSe на области спектра 3-5 и 8-14 мкм. Приводятся данные по фотоприемникам с числом элементов 4x48, 2x96, 4x128, 64x64, 128x128, 384x288 для "смотрящих" тепловизионных систем и систем со сканированием, работающих в режиме временной задержки и накопления. Их разработка фактически открывает перспективы создания нового поколения тепловизионной и теплопеленгационной аппаратуры с более высокими характеристиками. Описаны свойства "смотрящего" тепловизора на основе матрицы из CdHgTe с числом элементов 128x128, впервые созданные в "НПО "ОРИОН".

Часть статей посвящена последним результатам в области создания линейчатых (одномерных) фотоприемников из PbS, InSb, CdHgTe, неохлаждаемым болометрическим (термодетекторным) приемником иp-i-n фотодиодам из кремния.

Создание высокочувствительных приемников ближнего ИК диапазона позволило провести разработку нового класса аппаратуры для медицинской диагностики на основе спектрального анализа выдыхаемого воздуха. Этому посвящена совместная работа ЦЕНИ ИОФ АН и "НПО "ОРИОН".

Заключительную часть выпусков составляют работы по приборам ночного видения с использованием электронно-оптических преобразователей.

Представленные в выпусках статьи далеко не исчерпывают тематики докладов, сделанных на конференции. В последующих выпусках мы также надеемся опубликовать работы по наиболее актуальным теоретическим и прикладным проблемам микрофотоэлектроники, электронных и ионно-плазменных технологий.

Первый заместитель генерального директора ГУП "НПО "Орион", д. ф.-м. н., проф. В.П.Пономаренко

Содержание журнала с 1997 г.