Прикладная физика
N 6, 2002

Фотоэлектроника для нового поколения оптико-электронной аппаратуры

В.П. Пономаренко, А.М. Филачев
Государственное унитарное предприятие «НПО «Орион», Москва, Россия

   Рассмотрены результаты последних разработок технологий фотоприемников и фотоприемных устройств, в том числе многоэлементных и матричных, ИК-диапазона спектра. Наибольшее развитие получили технологии фотоприемников на основе фотодиодов из теллурида кадмия-ртути для тепловизионной аппаратуры, работающей в режиме временной задержки и накопления (2х256, 4х288) либо в "смотрящем" режиме (384х288), а также на основе фотодиодов из антимонида индия. Активно развиваются технологии создания быстродействующих фотоприемных устройств для регистрации импульсного излучения в широком интервале длин волн от 0,3 до 11 мкм для задач лазерной локации и метрологии. Проведен анализ современного состояния фотоэлектроники и рассмотрены основные физико-технологические проблемы создания фоточувствительных материалов, элементов, систем охлаждения и обработки изображений.

Содержание