ПРИКЛАДНАЯ  ФИЗИКА
№6  2002 г.

Фотоэлектроника

(тематический выпуск)
Филачев А.М. XVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения 7
Переводчиков В.И. Сто лет со дня рождения П.В. Тимофеева10
Пономаренко В.П., Филачев А.М. Фотоэлектроника для нового поколения оптико-электронной аппаратуры  13
Варавин В.С., Гутаковский А.К., Дворецкий С.А., Карташев В.А., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Ремесник В.Г., Рыхницкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Титов В.П., Швец В.А., Якушев М.В., Асеев А.Л. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии Cdx Hgx-1Te 25
Арутюнов В.А., Васильев И.С., Иванов В.Г., Прокофьев А.Е. Состояние и перспективы разработок охлаждаемых матричных ИК приемников изображения двойного назначения в ОАО «ЦНИИ «Электрон» 42
Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И., Бурлаков И.Д., Болгарь К.О., Горелик Л.И., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Куликов К.М., Ложников В.Е., Шаронов Ю.П. Фотоприемники и фотоприемные устройства для приема импульсного излучения в спектральном диапазоне 0,3 – 11 мкм52
Горбаченя Н.К., Зотиков А.Ф., Новиченков В.Ю. Об ориентировании фотоприемного устройства в измерительно-информационной оптико-электронной системе ночного видения 61
Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Ляпунов С.И., Комаров Н.В., Никифоров А.Ю.   Пороговые характеристики ИК-фотоприемников на основе барьеров Шоттки PtSi-p-Si с высоколегированным поверхностным слоем67
Салаев Э.Ю., Абдинов Д.Ш., Аскеров К.А. Влияние ионизирующего излучения на основные характеристики охлаждаемых фоторезисторов на основе Cdx Hgx-1Te74
Аракелов Г.А. Состояние работ и перспективы развития термоэлектрического охлаждения для фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения78
Алиева Т.Д., Ахундова Н.М., Абдинов Д.Ш. Трехкаскадный термоэлектрический модуль на уровень температуры ~200 К 85
Агаев З.Ф., Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М., Абдинов Д.Ш. Материал на основе PbTe для p-ветвей термоэлектрических охладителей 87
Борисова И.В., Горенок В.Н., Опарин А.Н., Попов П.Г. Модуль комплексирования каналов 89
Гусейнов Э.К., Салманов В.М. Инфракрасный детектор на основе структур с квантовыми проволоками 94
Иванов В.П., Лукан А.В., Мельников А.Н. Лазерно-голографический комплекс ФГУП «НПО «ГИПО» 99
Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Алеева Н.В., Чащин С.П., Несмелова И.М., Андреев В.А. Фотодиодные структуры на основе марганец-ртуть- теллур 106
Михалев А.С., Михалевский М.В. О возможности использования универсального контроллера исполнительных подсистем роботов в технологическом процессе при производстве изделий фотоэлектроники 110
Стефанов В.А., Кравченко В.С. Имитаторы динамических тепловых полей для стендовых испытаний тепловизионных систем 115
Филатов А.В., Лукша В.И., Поповян Г.Э., Трошкин Ю.С., Шаронов Ю.П. Влияние режимов ионного травления на параметры фоторезисторов из Cd HgTe 129
Правила для авторов

Содержание журнала с 1997 г.