Прикладная физика
N 6, 2002

Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии Cd_xHg_1-xTe

В.С. Варавин, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.А. Карташев, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, С.В. Рыхлицкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.П. Титов, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия

   Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (КРТ) позволяет решить проблемы получения однородных по параметрам эпитаксиальных структур КРТ на альтернативных подложках большого размера для существующих и новых поколений фотоприемников и выращивания слоев КРТ на подложках из кремния. Приведены данные по параметрам гетероэпитаксиальных структур на подложках из арсенида галлия, оборудованию для контролируемого выращивания слоев КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и условия, позволяющие получать эпитаксиальные буферные слои CdTe на кремниевых подложках.

Содержание