Прикладная физика
N 6, 2002

Фотоприемники и фотоприемные устройства для приема импульсного излучения в спектральном диапазоне 0,3 - 11 МКмкм

А.М. Филачев, В.П. Пономаренко, И.И. Таубкин, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь, Л.И. Горелик, Н.В. Кравченко. А.В. Кулыманов, К.М. Куликов, В.Е. Ложников, Ю.П. Шаронов
Государственное унитарное предприятие “НПО “Орион”, Москва, Россия

   Приведены основные фотоэлектрические характеристики быстродействующих фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (ФЭПП) и фотоприемных устройств (ФПУ) на основе фотодиодов GaP, Si, Ge, InGaAsP/InP, а также фотодиодов и фоторезисторов (CdHg)Te для спектрального диапазона длин волн 0,3-11 мкм. Отмечено, что основные фотоэлектрические характеристики соответствуют современному уровню зарубежных аналогов. Представлены результаты исследований ФЭПП и ФПУ на основе фотодиодов и фоторезисторов (CdHg)Te в гетеродинном режиме длине волны 10,6 мкм в полосе частот до 1000 МГц при температуре охлаждения от 80 К. Показано, что для частот до 40 Мгц фотодиоды и фоторезисторы имеют близкие пороговые характеристики. Приведены значения гетеродинного порога для фоторезисторов (CdHg)Te при рабочих температурах 200 и 300К. Даны основные характеристики быстродействующего термоохлаждаемого ФЭПП на основе фоторезистора (CdHg)Te , предложенного для индикации лазерного излучения в спектральном диапазоне 0,8-11 мкм.

Содержание