Фотоэлектрические характеристики структур с непрямоугольными квантовыми ямами
В. Б. Куликов
ГУП «НПП "Пульсар"», Москва, Россия
И. В. Будкин
АО "Сигм-Плюс", Москва, Россия
При аналитическом описании основных характеристик структур с квантовыми ямами (СКЯ), например вольт-амперных характеристик (ВАХ), обычно используют в качестве модели ямы с прямоугольными и симметричными стенками. Однако отклонения экспериментальных характеристик реальных СКЯ от аналитических зависимостей позволяют сделать предположение, что реальные СКЯ не являются ни прямоугольными, ни даже симметричными. Изучение механизмов влияния непрямоугольности ям на характеристики СКЯ позволило бы определить методы компенсации этого влияния путем введения изменений в процесс роста ям. Дано аналитическое описание ВАХ, полевых зависимостей чувствительности и соотношения сигнал/шум непрямоугольных СКЯ. Результаты аналитического рассмотрения сопоставляются с экспериментальными данными. Рассмотрены возможные пути компенсации влияния непрямоугольности стенок ям на характеристики СКЯ.
Содержание