Иванов В.А., Нагаева М.Л.
Актуальные направления и перспективы развития исследований по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу | | 5 |
Елкина Н.В., Левченко В.Д. Генерация филаментационной структуры магнитного поля в лазер-плазменном взаимодействии | | 16 |
Милантьев В.П., Туриков В.А.
Возбуждение плазменных колебаний электромагнитным импульсом в области электронного циклотронного резонанса | | 24 |
Кринберг И.А.
О причине повышения зарядности ионов при наложении продольного
магнитного поля на вакуумно-дуговой разряд
| | 28 |
Артамонов М.Ф., Красов В.И., Паперный В.Л.
Наблюдение локальной области горячей плазмы в катодной струе вакуумного искрового разряда | | 34 |
Басыров Р.Ш., Кашапов Н.Ф., Лучкин Г.С.
Модель приэлектродных процессов в магнетронных распылительных устройствах | | 37 |
Захаров А.Н., Соловьев А.А., Сочугов Н.С.
Повышение эффективности цилиндрических магнетронных распылительных систем с вращающимся катодом | | 41 |
Кузнецов А.Н., Прахов Н.В.
Вакуумный электродуговой источник плазмы с анодным и катодным режимами горения разряда | | 46 |
Бушманов Е.А., Великодный В.Ю., Воротилин В.П., Яновский Ю., Тимофеев И.Б., Ви Ван Д.
О возможности улучшения характеристик активированного пористого топлива при использовании процессов ионизации в диэлектрическом кавитаторе | | 49 |
Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф.
Оптические характеристики тонкопленочных покрытий, полученных с помощью струйной плазмы высокочастотного индукционного разряда пониженного давления
| | 55 |
Канель И.Н., Носыров А.Н., Цыганков П.А.
Автоматизированная система экспресс-диагностики параметров ионного пучка | | 62 |
Медведев Е.Ф., Христофоров А.И.
Применение силикатного модуля для прогнозирования структуры стекол водородных микроконтейнеров
| | 65 |
Рогальский А.
Третье поколение ИК-приемников на базе HgCdTe. Часть II
| | 69 |
Василевская Л.М., Кузнецов Ю.А., Куликов В.Б., Хатунцев А.И., Будкин И.В.,
Булаев П.В., Залевский И.Д., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б., Падалица А.А.
Петровский А.В.
Фотоэлектрические характеристики структур с квантовыми ямами, чувствительных в диапазоне 3-5 мкм, выращенных методом МОС- гидритной эпитаксии
| | 76 |
Куликов В.Б., Будкин И.В.
Фотоэлектрические характеристики структур с непрямоугольными квантовыми ямами
| | 79 |
Куликов В.Б., Василевская Л.М., Тэгай В.А., Завадский Ю.И., Давыдов А.Х.,
Залевский И.Д., Будкин И.В., Бородин Д.В.
Линейный фотоприемник на основе структур с квантовыми ямами
| | 84 |
Овсюк В.Н., Талипов Н.Х.
Особенности распределения донорных центров в кристаллах CdxHg1-xTe p-типа при низкотемпературной ионной имплантации
| | 87 |
Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Талипов Н.Х.
Распределение профилей радиационных дефектов при ионной имплантации варизонных структур КРТ, выращенных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии
| | 93 |
Болтарь К.О., Яковлева Н.И., Головин С.В., Пономаренко В.П., Стафеев В.И., Бурлаков И.Д., Моисеев А.Н., Котков А.П., Дорофеев В.В.
Матричный фотоприемник формата 128х128 на основе фотодиодов в эпитаксиальном слое КРТ, выращенном методом эпитаксии из металлоорганических соединений
| | 95 |
Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Михайлов Н.Н.
Облучение высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом
молекулярно-лучевой эпитаксии
| | 99 |
Костюков Е.В., Поспелова М.А., Русак Т.Ф., Трунов С.В.
Отработка технологии создания внутреннего геттера для
фоточувствительных приборов с зарядовой связью нового поколения
| | 102 |
В. П. Астахов, И. А. Болесов,
Е. Ф. Карпенко, В. В. Карпов, П. И. Лапин, К. В. Сорокин, Н. В.
Филипенко
Результаты ионных обработок поверхности при изготовлении pin-фотодиодов на кремнии
| | 106 |