Матричный фотоприемник формата 128x128 на основе фотодиодов в эпитаксиальном слое КРТ, выращенном методом эпитаксии из металлоорганических соединений
К. О. Болтарь, Н. И. Яковлева, С. В. Головин, В. П. Пономаренко, В. И. Стафеев, И. Д. Бурлаков
Государственное унитарное предприятие «НПО "Орион"», Москва, Россия
А. Н. Моисеев, А. П. Котков, В. В. Дорофеев
Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Н.-Новгород, Россия
Исследованы характеристики матричных фотоприемников (МФП) диапазона 3— 5 мкм формата 128x128 элементов, изготовленных на эпитаксиальных слоях соединения кадмий—ртуть—теллур (КРТ), выращенных методом химического осаждения из паров металлоорганических соединений (МОС) и ртути на подложках GaAs ориентации (100) и (111)В. Измерены гистограммы и диаграммы распределения по МФП тока фотодиодов, фоточувствительности и удельной обнаружительной способности D* МФП с граничной длиной волны 5,1 мкм при рабочей температуре 200 К.
Содержание