ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ


№ 6 Основан в 1994 г. Москва 2003


Переходные процессы в фотомишенях видиконов на основе МДП-структур, чувствительных к среднему ИК-излучению

А. В. Борошнев, Н. Ф. Ковтонюк
ЦНИИ "Комета", Москва, Россия

   Дан анализ кинетики электронных процессов в МДП-структурах из узкозонных полупроводников, используемых в качестве фотомишеней видиконов, чувствительных в средней ИК-области. Рассмотрена возможность регулирования рабочей температуры ИК-фотомишени за счет создания в ней неравновесной обедненной области.

Содержание