№ 6 | Основан в 1994 г. | Москва 2003 |
Пятницкий Л.Н. Волновая модель гидродинамической турбулентности | 5 | |
Шувалов В.А. Особенности силового взаимодействия идеальнопроводящего замкнутого контура с магнитным полем | 23 | |
Головашкин А.И., Жерихина Л.Н.,. Мишачев В.М., Троицкий В.Ф., Цховребов А.М., Измайлов Г.Н. Возможности метода адиабатического размагничивания в низкофоновых экспериментах | 27 | |
Васичев Б.Н., Фатьянова Г.И. Телепортация квантовых полей и их материализация в виде топологического рельефа наноструктур | 35 | |
Похмельных Л.А. Соотношения электростатики с учетом ослабления электростатического поля материей | 38 | |
Исаков Г.И. Управление электрическими свойствами эвтектической композиции полупроводник-сверхпроводник | 45 |
Прикота А.В. Аналитически-численное решение задачи Коши для систем квазилинейных дифференциальных уравнений в частных производных гиперболического типа | 53 |
Великодный В.Ю., Битюрин В.А. Кластерный термоядерный синтез (критический анализ публикаций) | 61 | |
Жуков А.А. Уточнение механизма искрового пробоя газа | 67 |
Галицейский К.Б. Границы устойчивости многокомпонентных и ограниченных ионизированных пучков | 73 |
Борошнев А.В., Ковтонюк Н.Ф. Переходные процессы в фотомишенях видиконов на основе МДП-структур, чувствительных к среднему ИК-излучению | 80 | |
Базовкин В.М., Валишева Н.А., Гузев А.А., Ефимов В.М., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Ли И.И., Строганов А.С. Гибридное фотоприемное устройство на основе линейки 1х384 InAs МДП-структур для спектрометрических применений | 85 | |
Мирошникова И.Н., Гуляев А.М., Недоруба Д.А. Применение шумовой спектроскопии для прогнозирования надежности приемников ИК-излучения на основе антимонида индия | 92 | |
Бородин Д.В., Осипов Ю.В. Матричный мультиплексор с кадровым накоплением для фотоприемных устройств | 98 | |
Деготь Ю.М., Забенькин О.Н., Кичина Н.Н., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Лобиков Ю.В., Огнева О.В., Трищенков М.А., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В., Смоленский-Суворов О.Н. Многоэлементный германиевый фотодиод с кодом Грея | 100 | |
Эскин Ю.М. Связь режима опроса микроболометрической матрицы и величины эквивалентной шуму разности температур при преобладании тепловых и температурных шумов чувствительных элементов | 104 | |
Бархалов Б.Ш. Фотоприемники с термоэлектрическим охлаждением на область спектра 3-5 и 10-12 мкм | 110 | |
Пак П.Ю., Фатеев В.А., Шашкин В.В. Исследование слоев МЛЭ КРТ методом сканирующей лазерной микроскопии | 113 | |
Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизм образования источника диффузии ртути в p-Hg1-xCdxTe при ионно-лучевом травлении | 120 |
Дьяконов Л.И., Пробылов В.В. Применение прецизионных ВАХ для исследования ИК-фоторезисторов. Часть I. Разработка метода прецизионных ВАХ | 126 | |
Дьяконов Л.И. Применение прецизионных ВАХ для исследования ИК-фоторезисторов. Часть I I.Влияние термообработки на свойства фоторезисторов из КРТ | 131 | |
Мамедов Р.К. Зависимости токопрохождения в диодах Шоттки от концентрации примесей полупроводника | 134 | |
Опарин А.Н., Плеханова И.В. Адаптивная система распознавания с нейросетевым классификатором | 141 |