№ 6 | Основан в 1994 г. | Москва 2003 |
Механизм образования источника диффузии ртути в p-Hg1-xCdxTe при ионно-лучевом травлении
В. В. Богобоящий
Кременчугский государственный политехнический университет, г. Кременчуг, Украина
И. И. Ижнин
НИИ материалов, Научно-производственное предприятие “Карат”, г. Львов, Украина
На основе анализа процессов взаимодействия низкоэнергетических ионов Ar+ с поверхностью p-CdxHg1-xТe при ионно-лучевом травлении (ИЛТ) предложен механизм образования источника диффузии ртути, обеспечивающий наблюдаемые при эксперименте гигантские скорости конверсии типа проводимости. Образование источника обусловлено релаксацией дефектов в подрешетке Hg — двукратно заряженных междоузельных атомов и вакансий ртути, а также нейтральных бивакансий ртути, образовавшихся в области теплового клина вследствие удара иона.