Планарный германиевый р—n-фотодиод большой площади
Ю. М. Деготь, О. Н. Забенькин, Н. Н. Кичина, Н. В. Кравчено, А. В. Кулыманов, Ю. М. Лобиков, О. В. Огнева, М. А. Тришенков, П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева
ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Представлены основные результаты разработки и изготовления одноэлементного германиевого фотодиода (ФД) с диаметром фоточувствительной площадки 1,1 мм, предназначенного для регистрации излучения лазера с диапазоном длин волн 0,8—1,6 мкм и прежде всего лазеров на 1,06 и 1,55 мкм. Фоточувствительная область создавалась имплантацией ионов бора. Все процессы ионной имплантации выполнялись через маску в фоторезисте. В качестве защитного и просветляющего покрытий использовалась пленка двуокиси кремния, осаждаемая из газовой фазы. Омические контакты создавались напылением в вакууме двухслойной системы титан—золото.
Содержание