| Ермилов В.Г. О неупругом рассеянии при взаимодействии p-мезонов с нуклонами | 5 | |
| Лепехин Н.М., Присеко Ю.С., Филиппов В.Г. Высокоскоростная импульсная модуляция излучения лазеров на самоограниченных переходах атомов химических элементов | 8 | |
| Козлов Г.В., Буря А.И., Долбин И.В. Влияние вращающегося электромагнитного поля на структуру углепластиков на основе фенилона | 14 | |
| Карнаков В.А., Ежова Я.В., Марчук С.Д., Щербаченко Л.А. Поляризационные процессы в гетерогенных структурах | 19 | |
| Карпенко С.В. Структурные фазовые переходы в ионных кристаллах в экстремальных условиях высоких давлений | 22 |
| Малинин А.Н., Шуаибов А.К., Шимон Л.Л., Грабовая И.А., Поляк А.В. Новые высокоэффективные электроразрядные лампы видимого и ультрафиолетового диапазона спектра | 27 | |
| Алферов Д.Ф., Евсин Д.В., Лондер Я.И. Нарушение устойчивости электрической дуги при разведении контактов в вакуумном промежутке с поперечным магнитным полем | 29 | |
| Александров А.Ф., Бугров Г.Э., Вавилин К.В., Керимова И.Ф., Кралькина Е.А., Павлов В.Б., Плаксин В.Ю., Рухадзе А.А., Савинов В.П. Исследование индуктивного ВЧ-разряда как самосогласованной системы. Часть III. Исследование влияния емкостной составляющей на параметры плазмы индуктивного ВЧ-разряда низкого давления | 36 |
| Бондарь Ю.Ф., Кузьмин Г.П., Мхеидзе Г.П., Ульянов Д.К., Арланцев С.В. Способ накачки больших газовых объемов | 43 |
| Соколовский Б.С., Писаревский В.К., Власов А.П., Ильчук Г.А. Особенности варизонных фотодиодов с немонотонным координатным профилем ширины запрещенной зоны | 51 | |
| Богобоящий В.В., Герасименко С.А., Емец В.В., Ижнин И.И. Моделирование диффузии собственных дефектов в гетерогенных кристаллах Hg 1-xCdx Te | 56 | |
| Добровольский Ю.Г., Фотий В.Д. Исследование влияния геометрически структурированных электрического и магнитного полей на параметры кремниевых фотодиодов | 61 | |
| Казиев Ф.Н., Насибов И.А., Ибрагимова Т.И., Гусейнов Э.К. Фотоэлектромагнитный приемник для средней ИК-области спектра на основе HgCdTe | 64 | |
| Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Определение длины диффузии носителей в ЭС КРТ по измерениям фоточувствительной площади фотодиода | 69 | |
| Алиев А.А., Гусейнов Э.К., Мамедов А.К. Эпитаксиальный SPRITE-фотоприемник | 72 | |
| Драпак C.И., Ковалюк З.Д. Электрические свойства и фоточувствительность изотипного гетероконтакта n-In2Se3 – n-InSe | 76 | |
| Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Ляпунов С.И., Юрьев В.А. Фотоэлектрические и шумовые характеристики GexSi1-x/ Si гетероструктур | 82 | |
| Салаев Э.Ю., Назаров А.М., Гаджиева С.И. Эпитаксиальные фоточувствительные гетеропереходы Pb1-xSnxSe(In) / PbSe1-xSx , полученные в сверхвысоком вакууме | 86 | |
| Жуков А.Г., Бажинов А.Н., Рябов В.Н., Ворович Э.В. Болометрические структуры на основе соединения титана | 89 | |
| Чистохин И.Б., Демьяненко М.А. Определение тепловых параметров микроболометров из электрических измерений | 91 | |
| Правильщиков П.А. “Физическая “ теорема Нетер в фотонике и computer science. Часть II | 95 |
| Дерменжи П.Г., Локтаев Ю.М., Ставцев А.В., Черников А.А. Длительность фазы высокой обратной проводимости диодов при произвольном законе спада прямого тока | 110 |
| Жуков А.Г., Мазеев В.А. Сканирующий тепловизор на болометрической линейке | 113 |
| Свиридов А.Н. Расчет предельных параметров приемных устройств с СО2 -квантовыми усилителями, предназначенных для лазерных локаторов и активных систем видения. | 116 |
| Костюков Е.В., Поспелова М.А., Русак Т.Ф., Трунов С.В., Облыгина Т.А.,Никитина Г.И. Создание внутреннего геттера для современных ПЗС | 124 |
| Алмазов В.А., Бурцев Э.Ф. Формирование мощных высоковольтных импульсов тока коротковолнового радиодиазона | 129 |
| Глазов А.А., Карамышева Г.А., Лисенкова О.Е. Высокочастотная ускоряющая система CUSTOMS циклотрона | 133 |
Содержание журнала с 1997 г.