ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
Пименов И.С., Белоусов В.И., Борщеговский А.А., Жарков М.Ю., Неудачин С.В., Рой И.Н., Хайрутдинов Э.Н., Попов Л.Г., Агапова М.В., Бельнова Л.М.
Система ввода СВЧ-излучения гиротронного комплекса токамака Т-15МД на первой стадии работ
| | 5 |
Чистолинов А.В., Якушин Р.В., Перфильева А.В.
Свечение второй положительной системы молекулярного азота в разряде с жидким электролитным катодом вблизи поверхности катода в воздухе при атмосферном давлении
| | 12 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
Саенко А.В., Малюков С.П., Рожко А.А.
Моделирование структуры бессвинцового перовскитного солнечного элемента
| | 19 |
Гулаков И.Р., Зеневич А.О., Кочергина О.В.
Исследование пропускной способности оптического канала связи с приемником информации в виде кремниевого фотоэлектронного умножителя в условиях фоновой засветки
| | 28 |
Сорокин Д.В., Драгунов Д.Э., Ляпустин М.Ю., Семенченко Н.А., Шарганов К.А.
Методы скоростной обработки видеоизображений с большим разбросом яркостей с использованием ПЛИС
| | 34 |
Свиридов А.Н., Сагинов Л.Д.
Универсальные формулы для коэффициентов излучения и интегральных плотностей потоков излучения черных тел и субволновых частиц
| | 42 |
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
|
Исмаилов А.М., Муслимов А.Э.
Ориентационная зависимость процессов травления подложек сапфира
| | 51 |
Гавриш С.В.
Импульсный разряд в парах смесей цезия с металлами
| | 58 |
Чебан А.Ю.
Технология разработки тонких рудных тел с предварительной лазерной дезинтеграцией прочных горных пород
| | 64 |
Кононов М.А., Растопов С.Ф.
Оптическая система контроля роста пленок Si3N4 на кварцевых подложках, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления кремниевой мишени
| | 70 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
Генцелев А.Н., Баев С.Г.
Способы изготовления самонесущих рентгеношаблонов
| | 75 |
Воеводин В.В., Ребров И.Е., Хомич В.Ю., Ямщиков В.А.
Электрофизическая установка для электроформования полимерных материалов на диэлектрические подложки посредством смены полярности
| | 83 |
Денисов Д.Г.
Анализ влияния ограничительных факторов в методе дифференциального рассеяния при контроле поверхностных неоднородностей субнанометрового уровня профилей оптических деталей
| | 89 |