| Борошнев А.В., Ковтонюк Н.Ф. Пространственно-временные модуляторы света на
основе структур металл-диэлектрик-полупроводник-жидкий кристалл.
| 5 |
| Кергет И.В., Корнейчик В.Л., Кудряшов А.А. Инфракрасный телескоп с двумя
увеличениями и дифракционным оптическим элементом.
| 11 |
| Солтанович О.А., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Метастабильное поведение
вольт-амперной характеристики p-n переходов на основе CdHgTe.
| 14 |
| Матюшенко В.Г., Страхов В.В., Жирков А.О. Геометрическая калибровка
телевизионных измерительных систем с твердотельными ФПУ.
| 19 |
| Громов Э.А., Ермаков В.М., Гаврин Е.А., Кочурин А.В. Некоторые вопросы
создания быстродействующих баллонных криогенных систем.
| 25 |
| Афанасьев А.В., Односевцев В.А., Орлов И.Я. Многоканальная ИК система сбора
и передачи информации.
| 29 |
| Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П. Распределение профилей
радиационных дефектов в КРТ после ионной имплантации.
| 38 |
| Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П. Формирование наноразмерных
высоколегированных профилей бора в кремнии мощными ионными пучками.
| 45 |
| Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А. Фотоэлектрические характеристики
неоднородных МДП-структур на основе Si, HgCdTe.
| 50 |
| Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Бабаева.Ф., Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М.
Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe
в ИК-области.
| 56 |
| Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мехтиев Н.М., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф.
Фотоприемники ИК-излучения на основе пленок CdS1-xSex,
осажденных из раствора.
| 63 |
| Джафаров М.А. Продольные фотоприемники на основе CdSe:Cu, осажденные из
раствора.
| 68 |
| Гасанов И.С. Источник интенсивного пучка ионов с
низкой энергией.
| 73 |
| Тагиев М.М. Высокотемпературный магнитотермоэлектрический экструдированный
материал на основе твердого раствора Bi85Sb15Эккк.
| 77 |
| Джафаров М.А., Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш. Термоэлектрическая эффективность
экструдированных образцов твердых растворов Bi0,5Sb1,5Te3
и Bi2Te2,7Se0,3 с различными размерами зерен.
| 82 |
| Багиева Г.З., Мустафаев Н.Б., Абдинов Д.Ш. Поверхностная проводимость и
объемные термоэлектрические свойства термоэлементов на основе экструдированных
образцов твердых растворов Bi0,5Sb1,5Te3 и
Bi2Te2,7Se0,3.
| 86 |
| Салаев Э.Ю., Нуриев И.Р., Джалилова Х.Д., Фараджев Н.В. Оптические свойства
эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe[In].
| 91 |
| Демьяченко М.А., Марчишин И.В., Клименко А.Г.,
Козлов А.И., Овсюк В.Н., Савченко А.П., Торопов А.И., Шашкин В.В. Матричные ИК фотоприемники на основе
многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs.
| 94 |
| Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссо Е.В. Полупроводниковые фотодетекторы
с палладиевым контактом как детекторы водорода и водородосодержащих газов.
| 100 |
| Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А.
Температурная стабильность m-s и p-n фотодетекторов на основе GaAs, GaP, Si.
| 106 |
| Харитонов А.С. Поиск закономерностей устойчивого развития
сложных систем.
| 113 |
Содержание журнала с 1997