ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
| Войцеховский А. В., Горн Д. И.
Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
| | 5 |
| Роках А. Г., Шишкин М. И., Вениг С. Б., Матасов М. Д., Аткин В. С.
Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках
| | 11 |
| Логунов М. В., Неверов В. А., Мамин Б. Ф.
Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния
| | 15 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
| Пляка П. С., Алихаджиев С. Х., Толмачев Г. Н.
Исследование пылевых частиц, образующихся при распылении сложного оксида в кислородном высокочастотном разряде
| | 19 |
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
|
| Кулиш В. В., Лысенко А. В., Алексеенко Г. А., Коваль В. В., Ромбовский М. Ю.
Супергетеродинные плазменно-пучковые ЛСЭ с винтовыми электронными пучками
| | 24 |
| Крылов В. И., Хомяков В. В.
Тормозное излучение электронов, проходящих через многослойную структуру кулоновых центров и ускоряемых электрическим полем
| | 29 |
| Чебан А. Ю., Хрунина Н. П., Леоненко Н. А.
Результаты экспериментальных исследований по резанию карбонатных горных пород мощным лазерным излучением
| | 34 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
| Холоднов В. А., Бурлаков И. Д., Другова А. А.
Аналитический подход к выбору оптимальной структуры лавинных гетерофотодиодов на основе прямозонных полупроводников
| | 38 |
| Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А.
Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
| | 45 |
| Акимов В. М., Андреев Д. С., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов Е. А.
Вольтамперные характеристики фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP
| | 50 |
| Балиев Д. Л., Лазарев П. С., Болтарь К. О.
Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320x256 на основе InGaAs
| | 54 |
| Роках А. Г., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Пузыня В. А.
О возможности плазменного резонанса в пленках CdS-PbS в средней инфракрасной области спектра
| | 58 |
| Скребнева П. С., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И.
Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической эллипсометрии
| | 61 |
| Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В.
Исследование поверхности эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе после полирующего травления
| | 67 |
| Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И
Исследование условий выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х < 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену
| | 72 |
| Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Байрамов Р. Б.
Влияние атомов примеси Sm и гамма-излучения на спектры фотопроводимости слоистых монокристаллов GeS
| | 76 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
| Бедарева Е. А., Горелик Л. И., Колесова А. А., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Шкетов А. И.
Светосильный двухдиапазонный инфракрасный объектив
| | 80 |
| Тиранов Д. Т., Гусева А. А., Филиппов В. Л.
Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности атмосферы при наблюдении из нижней полу-сферы
| | 85 |
ИНФОРМАЦИЯ
|
| |
|
Правила для авторов журнала «Прикладная физика»
| | 88 |
|
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике
| | 90 |
|
Бланк-заказ для подписки
| | 92 |
Содержание других выпусков журнала