ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
№ 1 |
Основан в 1994 г. |
Москва 2012 |
СОДЕРЖАНИЕ
ОБЩАЯ ФИЗИКА
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г., Григорьев Д. В., Кульчицкий Н. А.,
Мельников А. А.
Радиационные эффекты в HgCdTe |
| 82 |
Седнев М. В., Болтарь К. О., Мезин Ю. С., Климанов Е. А., Шаронов Ю. П.
Исследование факторов, определяющих анизотропность ионно-лучевого травления напыленного слоя индия |
| 90 |
Монастырский Л. С., Соколовский Б. C., Павлык М. Р., Аксиментьева Е. И.
Релаксация фотопроводимости в пористом кремнии с цилиндрической геометрией пор
| | 94 |
Нуриев И. Р., Фараджев Н. В., Назаров А. М., Гаджиев М. Б.
Изопериодические фоточувствительные гетероструктуры Pb1-xSnxSe / PbSe1-xSx
|
| 98 |
Гуменюк-Сычевская Ж. В., Мележик Е. А.
Расчеты спектров электронов и времен релаксации в квантовой яме CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
для различных ее параметров
|
| 101 |
Фарзалиев С. С., Нуриев И. Р., Садыгов P. M., Бархалов Б. Ш.
Фоточувствительные эпитаксиальные пленки PbSe1-xTex
|
| 107 |
Зайцев А. А., Хромов С. С.
Структура фоточувствительных элементов и ИС считывания для матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового диапазона
|
| 110 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА
Содержание других выпусков журнала |